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隨著時(shí)代的發(fā)展,開(kāi)關(guān)電源模塊技術(shù)越來(lái)越完善,與傳統(tǒng)電源相比,其具有小體積、高效率、高可靠性、穩(wěn)壓輸出等眾多優(yōu)點(diǎn),逐漸取代了傳統(tǒng)的整流電源。開(kāi)關(guān)電源因?yàn)楣ぷ黝l率高、能夠快速產(chǎn)生電流、電壓變化,所以會(huì)產(chǎn)生尖峰及諧波干擾,這些干擾會(huì)通過(guò)傳導(dǎo)、輻射及串?dāng)_等途徑影響設(shè)備和附近電子系統(tǒng)的正常工作。
現(xiàn)在我國(guó)已經(jīng)開(kāi)始對(duì)電子產(chǎn)品要求實(shí)行3C認(rèn)證了,所以設(shè)備能否滿足應(yīng)用的電磁標(biāo)準(zhǔn),會(huì)直接影響到產(chǎn)品是否能在市場(chǎng)上銷(xiāo)售。因此根據(jù)開(kāi)關(guān)電源模塊的特性做好外圍電路的設(shè)計(jì),是產(chǎn)品通過(guò)認(rèn)證和提高現(xiàn)場(chǎng)防護(hù)的關(guān)鍵。EMC的產(chǎn)生主要是干擾源、敏感設(shè)備和傳輸介質(zhì)這三個(gè)問(wèn)題,只要針對(duì)其中一個(gè)問(wèn)題進(jìn)行改動(dòng)都可以實(shí)現(xiàn)防護(hù),比如是:將干擾源去掉、遠(yuǎn)離敏感設(shè)備和改善傳輸介質(zhì)。
電源模塊在設(shè)計(jì)時(shí)可優(yōu)化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及PCB設(shè)計(jì)等進(jìn)行提成EMC干擾防護(hù)。在電路設(shè)計(jì)中可以優(yōu)先保護(hù)后濾波的方式,保護(hù)元件設(shè)計(jì)在靜電導(dǎo)入口的位置。在防護(hù)電路方面開(kāi)關(guān)管建議加RC吸收和RCD吸收電路,從而降低尖峰電壓,在EMC傳輸路徑上建議使用π型濾波和全波整流電路。在拓?fù)湓O(shè)計(jì)中優(yōu)先選擇連續(xù)導(dǎo)通模式CCM。在PCB設(shè)計(jì)中盡量大面積鋪地、減少回路面積、布線長(zhǎng)度、動(dòng)態(tài)節(jié)點(diǎn)電感及大面積孤立銅區(qū)。
模塊因?yàn)槭切◇w積設(shè)計(jì),如果僅靠?jī)?nèi)部電路設(shè)計(jì)是滿足不了EMC干擾保護(hù)的,所以吸收EMS的元件體積都是非常大的,一般EMC干擾高防護(hù)都是通過(guò)外圍電路來(lái)提升其性能。一般有差模跟共模影響,可根據(jù)實(shí)際需要使用不同電路解決。如傳導(dǎo)騷擾波形為低頻時(shí)可采用差模濾波電路、中頻采用共模和差模濾波電路、高頻屬于共模干擾。
在設(shè)計(jì)中,選擇不同的元件也會(huì)直接影響模塊的性能,在選擇高頻變壓器時(shí)應(yīng)保證交流、直流損耗低,漏感小且良好的繞組布局。選擇濾波電容時(shí)注意考慮小體積、大容量、高耐壓及高頻低阻化。選擇壓敏電阻時(shí)需電源直流電壓小于最大直流電壓,在實(shí)際應(yīng)用中要關(guān)注場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻和低柵極電荷,這兩者不僅影響其效率,還影響EMC性能,需做好平衡。
開(kāi)關(guān)電源的絕緣特性可以當(dāng)是一種共模防護(hù)性能,比如輸入正負(fù)100和PG的絕緣為1500VAC,也就是該電源模塊的浪涌和EFT的共??垢蓴_為2000VDC以上。這需要我們熟悉各種元件的特點(diǎn)和弱點(diǎn),才能更好的安排和避免失效影響正常工作。比如壓敏電阻有可能在多次沖擊下導(dǎo)致其漏電流增大而發(fā)熱自燃及短路。
現(xiàn)在市場(chǎng)上很多開(kāi)關(guān)電源是有UL、CE、3C認(rèn)證的,這些產(chǎn)品的EMI性能是有保證的,但是單獨(dú)模塊是沒(méi)有3C的。在實(shí)際應(yīng)用中,有少數(shù)認(rèn)證是不通過(guò)的,這主要是開(kāi)關(guān)電源的EMI測(cè)試方法的問(wèn)題,在認(rèn)證測(cè)試時(shí),是使用電阻性負(fù)載測(cè)試的行業(yè)做法,和實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)及帶負(fù)載測(cè)試是不一樣的。 而實(shí)際負(fù)載可能包含了大量的高頻電磁騷擾,再通過(guò)開(kāi)關(guān)電源模塊的寄生電容耦合到輸入線纜上,從而導(dǎo)致測(cè)試失敗。